Study Of Cubic GaN On Porous GaAs Substrate For High Efficient Energy Devices.
Projek ini bermula dengan pembikinan struktur GaAs (100) berliang menggunakan larutan punaran H2S04: DMF dengan nisbah optimum 1 :3. Liang yang berbentuk bulat dengan keseragaman tinggi telah diperolehi berbanding dengan larutan punaran lain. Sam pel GaAs berliang tersebut sepatutnya digunakan untuk...
Saved in:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 格式: | Monograph |
| 出版: |
Universiti Sains Malaysia
2016
|
| 主题: | |
| 在线阅读: | http://eprints.usm.my/32554/ |
| 标签: |
添加标签
没有标签, 成为第一个标记此记录!
|