Fabrication of lnxGa1-xN/GaN Multi-Quantum Well Structure for Green Light Emitting Diode on Patterned Sapphire Substrate by Metal Organic Chemical Vapour Deposition
In an effort to successfully fabricate lnGaN-based for green emitting devices on patterned sapphire substrate, the indium composition in lnxGa1-xN/GaN multi-quantum well structure is crucial because lower indium composition will shift the wavelength towards ultraviolet region. In this study, 4 micr...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Conference or Workshop Item |
| اللغة: | English |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/48819/1/ZH17_OP010.pdf%20done.pdf http://eprints.usm.my/48819/ |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|