Innovative Developments in GaN-based Technology
GaN-based materials have been intensively investigated in recent years because of their potential applications for optoelectronic devices operating in the short wavelength spectral range and in high power, and high temperature electronic devices. The III-nitride semiconductors form a continuous allo...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | Conference or Workshop Item |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2016
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/48801/1/ZO8.pdf%20done.pdf http://eprints.usm.my/48801/ |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|